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高频感应给您介绍一下IGBT原理

发布日期:2019-02-12 作者:来源于网络 点击:

IGBT的转移特性是指输出漏极电流Id与栅源电压Ugs之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同,当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时,IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分漏极电流范围内,Id与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制,其最佳值一般取为15V左右。

IGBT DEKAIGUANTEXINGSHIZHILOUJIDIANLIUYULOUYUANDIANYAZHIJIANDEGUANXI。IGBTCHUYUDAOTONGTAISHI,YOUYUTADEPNPJINGTIGUANWEIKUANJIQUJINGTIGUAN,SUOYIQIBZHIJIDI。JINGUANDENGXIAODIANLUWEIDALINDUNJIEGOU,DANLIUGUOMOSFETDEDIANLIUCHENGWEIIGBTZONGDIANLIUDEZHUYAOBUFEN。CISHI,TONGTAIDIANYA Uds(on) KEYONGXIASHIBIAOSHI Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRohSHIZHONG Uj1 —— JI JIEDEZHENGXIANGDIANYA,QIZHIWEI 0.7 ~ IV 。Udr ——KUOZHANDIANZU Rdr SHANGDEYAJIANG。Roh ——GOUDAODIANZU。

TONGTAIDIANLIU Ids KEYONGXIASHIBIAOSHI:

Ids=(1+Bpnp)Imos

SHIZHONG Imos ——LIUGUO MOSFET DEDIANLIU。

YOUYUN+QUCUNZAIDIANDAODIAOZHIXIAOYING,SUOYIIGBTDETONGTAIYAJIANGXIAO,NAIYA1000V DEIGBTTONGTAIYAJIANGWEI2~3V 。 IGBTCHUYUDUANTAISHI,ZHIYOUHENXIAODEXIELOUDIANLIUCUNZAI。

DONGTAITEXINGIGBTZAIKAITONGGUOCHENGZHONG,DABUFENSHIJIANSHIZUOWEIMOSFETLAIYUNXINGDE,ZHISHIZAILOUYUANDIANYAUds XIAJIANGGUOCHENGHOUQI, PNPJINGTIGUANYOUFANGDAQUZHIBAOHE,YOUZENGJIALEYIDUANYANCHISHIJIAN。td(on)WEIKAITONGYANCHISHIJIAN,tri WEIDIANLIUSHANGSHENGSHIJIAN。SHIJIYINGYONGZHONGCHANGJICHUDELOUJIDIANLIUKAITONGSHIJIANtonJIWEItd(on)triZHIHE。LOUYUANDIANYADEXIAJIANGSHIJIANYOUtfe1HEtfe2ZUCHENG。

IGBTZAIGUANDUANGUOCHENGZHONG,LOUJIDIANLIUDEBOXINGBIANWEILIANGDUAN。YINWEI MOSFET GUANDUANHOU,PNPJINGTIGUANDECUNCHUDIANHENANYIXUNSUXIAOCHU,ZAOCHENGLOUJIDIANLIUJIAOZHANGDEWEIBUSHIJIAN, td(off)WEIGUANDUANYANCHISHIJIAN, trvWEIDIANYAUds(f)DESHANGSHENGSHIJIAN。SHIJIYINGYONGZHONGCHANGCHANGJICHUDELOUJIDIANLIUDEXIAJIANGSHIJIANTfYOUTU 2 - 59 ZHONGDEt(f1)HEt(f2)LIANGDUANZUCHENG,ERLOUJIDIANLIUDEGUANDUANSHIJIAN t(off)=td(off)+trv SHI t(f) ( 2 - 16 )SHIZHONG, td(off) YU trv ZHIHEYOUCHENGWEICUNCHUSHIJIAN。

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